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崔成强 教授

   

一、个人简述(限300字)

    崔成强,教授,高级工程师。国家“千人计划”特聘专家,广州科技创新“百人计划”引进人才 ,江苏省“双创人才”,苏州市姑苏领军人才;曾获新加坡李光耀顶尖研究奖,海外研究奖学金、中英友好研究奖学金;曾任中国兵器工业集团首席专家,安捷利实业和香港金柏科技首席技术官;香港科技大学霍英东研究院兼职教授;常州半导体照明国家重点实验室客座研究员,香港应用科学院顾问;曾主持国家02专项、863计划等多项科技攻关与技术创新项目。有着超过20年的微电子封装材料及工艺领域研究工作经历。截至2017年,已累计获得国内外授权发明专利32项,授权实用新型专利8项,申请发明专利64项。已在国内国际著名杂志期刊上发表论文110余篇。

主要成果:

  1. 卷带式高密度超薄柔性封装基板工艺研发与产业化(02专项)
  2. 基于高性能基板的第三代半导体封装技术研究(863计划)
  3. 高密度超薄直接倒置芯片
  4. 新一代高分辨率防抖摄像模块
  5. 嵌入式无源元器件MEMS功能模块
  6. 第三代半导体大功率LED封装基板

二、学科领域

  1. 微电子封装技术与材料
  2. 高密度封装基板制造技术与材料
  3. 第三代半导体封装材料

三、教育背景

  1. 1989/1-1991/3,英国埃塞克斯大学(University of Essex),电化学,博士
  2. 1983/9-1985/12,天津大学,电化学,硕士
  3. 1979/9-1983/7,天津大学,电化学工程,学士

四、工作经历

  1. 2016.09-至今,广东工业大学,机电工程学院,教授/博士生导师
  2. 2012.05-2016.08,安捷利实业有限公司,首席技术官(CTO)
  3. 2006.05-2012.05,香港金柏科技有限公司,首席技术官(CTO)
  4. 1995.05-2006.05,新加坡微电子研究所,研究员
  5. 1991.11-1995.05,新加坡国立大学,李光耀研究员
  6. 1990.07-1991.10,英国埃塞克斯大学,博士后

五、学术兼职

  1. 香港科技大学霍英东研究院,兼职教授
  2. 常州半导体照明国家重点实验室,客座研究员
  3. 香港应用科学院,顾问

六、主要荣誉

  1. 2015.10,江苏省“双创人才”
  2. 2014.12,苏州市“姑苏领军人才”
  3. 2013.06,广州市“创新创业领军人才”
  4. 2013.02,国家“千人计划”(创新人才长期项目)

七、代表性论文

  1. Cu fully filled ultra-fine blind via on flexible substrate for high density interconnect, 31st IEMT’2006, Putrajaya, Malaysia, Page: 13-19, 8-10 November, 2006.
  2. Cu fully filled ultra-fine blind via on flexible substrate for high density interconnect, 31st IEMT’2006, Putrajaya, Malaysia, 13-19, 8-10 November, 2006.
  3. TBGA substrate for lead free and halogen-free application, 2004 International IEEE Conference on Asian green electronics (AGEC), City University of Hong Kong, Jan. 5-6, 2004.
  4. Ultra-fine via with filled solid Cu, IPC/TPCA Conference: Flex &Chips, Taiwan, 9-10 November, 2004.
  5. High density interconnect on flexible substrates, IEEE/CPMT dinner meeting, Santa Clara, 9 September, 2004.
  6. Byron Chan, Alex C K So, Thomson Lee, Chee Cheung, Development of Two-Metal Layer Flexible Substrate for High Density IC Packaging , EMAP2000, Hong Kong, pp.326-329, 2000.
  7. XPS Study on RuO2 Electrode, J. Xiamen University (Natural Science), 27, 76-80, 1988.
  8. Effects of Oxygen Reduction on Nickel Deposition from Unbuffered Aqueous Solutions, Part II—Characterization of the Electrode Interface in Electrodeposition", J. Electrochem. Soc., 142, 1132-1138, 1995.
  9. Nickel Deposition from Unbuffered Neutral Chloride Solution in the Presence of Oxygen, Electrochim. Acta, 40, 1653-1662, 1995.
  10. Degradation of Copolymers of Aniline and Metanilic Acid,  Polymer Degradation and Stability, 43, 245-252, 1994.
  11. Effect of Polyaniline on Oxygen Reduction in Buffered Neutral Solution, J. Electroanal. Chem., 367, 205-212, 1994.
  12. Reactive Deposition of Ultrafine Cobalt Powders, Part Two—Effect of Preparation Condition, J. Materials Science, 29, 6495-6500, 1994.
  13. Effects of Oxygen Reduction on Nickel Deposition from Unbuffered Aqueous Solutions, Part I—Deposition Process and Deposit Structure", J. Electrochem. Soc., 141, 2033-2038, 1994.
  14. Reactive Deposition of Ultra-fine Cobalt Powders, Part I: Electrochemical Studies, J. Materials Science, 28, 461-468, 1993.
  15. Extent of Incorporation of Hydrolysis Products in Polyaniline Films Deposited by Cyclic Potential Sweep, Electrochim Acta, 38, 1395-1404, 1993.
  16. Origin of Difference between Potentiostatic and Cyclic Potential Sweep Deposition of Polyaniline, J. Electroanal. Chem., 346, 477-482, 1993.
  17. Measurement of the Extent of Impurity Incorporation during Potentiostatic and Cyclic Potential Sweep Deposition of Polyaniline, Synthetic Metals, 58, 147-160, 1993.
  18. Measurement and Evaluation of Polyaniline Degradation, Polymer Degradation and Stability, 41, 69-76, 1993.

 

八、主要著作

Moisture Sensitivity of Plastic Packages of IC Devices,14 May 2010,Springer

 

、科研项目

  1. 广东省重大专项,高密度超薄柔性封装基板研发与产业化,2015 .01-2018.12,500万元,在研,参加
  2. 江苏省科技厅重大科技成果转化专项,卷带式高密度超薄柔性封装基板工艺研发与产业化,2015.01-2018.01,800万元,在研,技术负责人
  3. 国家863计划项目,基于高性能基板的第三代半导体封装技术研究,2015.01-2017.01,111万元,在研,技术骨干
  4. 国家科技重大专项(02),卷带式高密度超薄柔性封装基板工艺研发与产业化,2014.01-2017.12,8995.78万元,在研,主持
  5. 广州市科创委,面向移动互联网终端应用的核心芯片柔性封装基板开发及产业化,2014.01-2015.01,525万,已结题,主持
  6. 广州市科创委,高频高速光纤传模组基板的开发与产业化,2012-2014, 300万元,已结题,技术负责人
  7. 香港科技署,嵌入式被动元件封装基片的开发及产业化,2001.01-2004.01,2700万元,已结题,主持
  8. 新加坡电子封装研究联盟(EPRC),倒置芯片封装研究,1998.01-1999.01,325万元,已结题,主持
  9. 新加坡科技署,MCM-D 封装技术开发及产业化,1995.01-1999.01,10000万元,已结题,参与

、知识产权

  1. 崔成强,一种新型的封装基板及其制作方法,2015.8.5,中国,ZL201410425401.1
  2. 崔成强,王健,一种芯片的封装方法,2014.4.8,中国,201410138323.7
  3. 崔成强,王健,一种用于芯片封装的引线框架的制备方法,  2014.4.8,中国,201410138222.X
  4. 崔成强,一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法, 2014.8.26,中国,201410424188.2
  5. 崔成强,一种新型的封装基板及其制作方法,2014.12.29,中国,PCT/CN2014/093408
  6. 崔成强,王健,陈勇,一种层间互联的工艺,2014.12.17,中国,201410775664.5
  7. 崔成强,新型埋入元器件的封装结构及电路板,2014.12.24,中国,ZL201420484667.9
  8. 崔成强,王健,一种封装芯片,2014.9.10,中国,ZL201420167806.5
  9. 崔成强,韦嘉,袁长安,张国旗,制造发光二极管芯片的方法,2013.7.9,中国,201310286849.5
  10. 崔成强,袁长安,张国旗,LED封装结构及其制作方法,2013.5.27,中国,201310201587.8
  11. 崔成强,梁润园,韦嘉,袁长安,LED封装结构及其制作方法,2013.1.4,中国,201310001095.4
  12. 崔成强,一种叠加电路板,2013.3.27,中国,ZL201220405079.2
  13. 崔成强,黄洁莹,梁润园,袁长安,张国旗,一种LED 封装体的制作方法,2012.11.28,中国,ZL201210497327.5
  14. 崔成强,梁润园,韦嘉,袁长安,LED芯片及制造方法,2012.12.28,中国,201210587583.3
  15. 崔成强,一种柔性电路板的盲孔制作工艺,2012.8.16,中国,201210290774.3
  16. 崔成强,一种耐外力作用的高可靠性的带凸包互连电路板,2012.11.21,中国,ZL201220145402.7
  17. 崔成强,柔性无胶铜电路板基材及其制作工艺,2012.8.16,中国,201210290819.7
  18. 崔成强,一种高密度线路板的制造工艺,2016.3.3,中国,ZL201210290786.6
  19. C.Q.Cui and Chee W Cheung, Multiple integrated circuit die package with thermal performance, US 7, 906,844, Mar. 15.2011
  20. C.Q.Cui, Kai C. Ng and Chee W. Cheung, Die-up integrated circuit package with grounded stiffener , Aug. 11, 2009, US 7, 573,131

、联系方式

办公地点:广东工业大学大学城校区机电工程学院工学2号馆722室

通信地址:广州市番禺区广州大学城外环西路100号

邮政编码:510006

联系电话:13822120193

电子邮箱: cqcui01@qq.com

 

[点击数:1968 更新时间:2017-03-24 文章录入:mjl]